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Référence fabricant | SPW35N60CFDFKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-SPW35N60CFDFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
SPW35N60CFDFKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 34.1A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 118 mOhm @ 21.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.9mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 212nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5060pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 313W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW35N60CFDFKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPW35N60CFDFKSA1-FT |
IPDD60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R125G7XTMA1
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LCMXO2-640HC-6TG100I
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EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
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EP1S20F780C7
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