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Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1

Numéro de pièce MFG
IPDD60R102G7XTMA1
quantité disponible
78800 Pièces
Prix de référence
USD 2.369504
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolMOS™ G7 MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPDD60R102G7XTMA1.pdf
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IPDD60R102G7XTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPDD60R102G7XTMA1
Numéro de pièce future FT-IPDD60R102G7XTMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™ G7
IPDD60R102G7XTMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 390µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 400V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 139W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-HDSOP-10-1
Paquet / caisse 10-PowerSOP Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPDD60R102G7XTMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPDD60R102G7XTMA1-FT

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