maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPS03N03LA G
Référence fabricant | IPS03N03LA G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPS03N03LA G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPS03N03LA G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 70µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 115W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS03N03LA G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPS03N03LA G-FT |
IRL3502PBF
Infineon Technologies
IRL3705Z
Infineon Technologies
IRL3714PBF
Infineon Technologies
IRL3714TR
Infineon Technologies
IRL3714Z
Infineon Technologies
IRL3714ZPBF
Infineon Technologies
IRL3715
Infineon Technologies
IRL3715PBF
Infineon Technologies
IRL3715TR
Infineon Technologies
IRL3715TRL
Infineon Technologies
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel