maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPDD60R125G7XTMA1
Référence fabricant | IPDD60R125G7XTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPDD60R125G7XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ G7 |
IPDD60R125G7XTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 6.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 320µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 120W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-HDSOP-10-1 |
Paquet / caisse | 10-PowerSOP Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPDD60R125G7XTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPDD60R125G7XTMA1-FT |
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