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Infineon Technologies IPT65R033G7XTMA1

Name: IPT65R033G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT65R033G7XTMA1
Price: 8.2778 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (782 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPT65R033G7XTMA1

quantité disponible: 76340 Pièces

Prix de référence: USD 8.2778

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolMOS™ C7 MOSFET N-CH 650V 69A HSOF-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPT65R033G7XTMA1.pdf

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IPT65R033G7XTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPT65R033G7XTMA1
Numéro de pièce future	FT-IPT65R033G7XTMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™ C7
IPT65R033G7XTMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	69A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 28.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.44mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5000pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	391W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-HSOF-8-2
Paquet / caisse	8-PowerSFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT65R033G7XTMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPT65R033G7XTMA1-FT

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