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Infineon Technologies IPS110N12N3GBKMA1

Name: IPS110N12N3GBKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS110N12N3GBKMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (296 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPS110N12N3GBKMA1

quantité disponible: 40090 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPS110N12N3GBKMA1.pdf

IPS110N12N3GBKMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPS110N12N3GBKMA1
Numéro de pièce future	FT-IPS110N12N3GBKMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPS110N12N3GBKMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	120V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4310pF @ 60V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO251-3
Paquet / caisse	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS110N12N3GBKMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPS110N12N3GBKMA1-FT

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