maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRL8114PBF
Référence fabricant | IRL8114PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRL8114PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRL8114PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 115W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL8114PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRL8114PBF-FT |
IRF3707PBF
Infineon Technologies
IRF3707Z
Infineon Technologies
IRF3707ZPBF
Infineon Technologies
IRF3708
Infineon Technologies
IRF3709
Infineon Technologies
IRF3710ZGPBF
Infineon Technologies
IRF3711
Infineon Technologies
IRF3711PBF
Infineon Technologies
IRF3711Z
Infineon Technologies
IRF3711ZPBF
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel