maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF3711PBF
Référence fabricant | IRF3711PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF3711PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF3711PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 110A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2980pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3711PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF3711PBF-FT |
IRFB7434PBF
Infineon Technologies
IRFB59N10DPBF
Infineon Technologies
IRF1310NPBF
Infineon Technologies
IRFB52N15DPBF
Infineon Technologies
IRFB23N20DPBF
Infineon Technologies
IRL2203NPBF
Infineon Technologies
IRF1010ZPBF
Infineon Technologies
IRFZ44VPBF
Infineon Technologies
IRF3315PBF
Infineon Technologies
IRLB8314PBF
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel