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Infineon Technologies IRFB59N10DPBF

Name: IRFB59N10DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB59N10DPBF
Price: 1.992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (552 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFB59N10DPBF

quantité disponible: 86710 Pièces

Prix de référence: USD 1.992

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFB59N10DPBF.pdf

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IRFB59N10DPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFB59N10DPBF
Numéro de pièce future	FT-IRFB59N10DPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFB59N10DPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	59A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2450pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB59N10DPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFB59N10DPBF-FT

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