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Infineon Technologies IRF60B217

Name: IRF60B217
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF60B217
Price: 1.376 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (67 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF60B217

quantité disponible: 31680 Pièces

Prix de référence: USD 1.376

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: StrongIRFET™ MOSFET N-CH 60V 60A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF60B217.pdf

IRF60B217 Caractéristiques

Référence fabricant	IRF60B217
Numéro de pièce future	FT-IRF60B217
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	StrongIRFET™
IRF60B217 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2230pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF60B217 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF60B217-FT

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