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Infineon Technologies AUIRFU8405

Numéro de pièce MFG
AUIRFU8405
quantité disponible
82640 Pièces
Prix de référence
USD 0.880544
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
AUIRFU8405.pdf
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AUIRFU8405 Caractéristiques

Référence fabricant AUIRFU8405
Numéro de pièce future FT-AUIRFU8405
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
AUIRFU8405 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.98 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5171pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 163W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I-PAK
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRFU8405 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange AUIRFU8405-FT

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