maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF6718L2TRPBF
Référence fabricant | IRF6718L2TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF6718L2TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF6718L2TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 61A (Ta), 270A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7 mOhm @ 61A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 13V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4.3W (Ta), 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DIRECTFET L6 |
Paquet / caisse | DirectFET™ Isometric L6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6718L2TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF6718L2TRPBF-FT |
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