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Infineon Technologies IRF6709S2TR1PBF

Name: IRF6709S2TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6709S2TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (734 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF6709S2TR1PBF

quantité disponible: 94970 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF6709S2TR1PBF.pdf

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IRF6709S2TR1PBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF6709S2TR1PBF
Numéro de pièce future	FT-IRF6709S2TR1PBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF6709S2TR1PBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta), 39A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1010pF @ 13V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta), 21W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DIRECTFET S1
Paquet / caisse	DirectFET™ Isometric S1
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6709S2TR1PBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF6709S2TR1PBF-FT

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