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Infineon Technologies IRF7171MTRPBF

Numéro de pièce MFG
IRF7171MTRPBF
quantité disponible
54960 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
FASTIRFET™, HEXFET® MOSFET N-CH 100V 15A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRF7171MTRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRF7171MTRPBF
Numéro de pièce future FT-IRF7171MTRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries FASTIRFET™, HEXFET®
IRF7171MTRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 93A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2160pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DIRECTFET™ MN
Paquet / caisse DirectFET™ Isometric MN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7171MTRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF7171MTRPBF-FT

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