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Référence fabricant | IRF6708S2TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF6708S2TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF6708S2TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DIRECTFET S1 |
Paquet / caisse | DirectFET™ Isometric S1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6708S2TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF6708S2TRPBF-FT |
IRF6619TR1PBF
Infineon Technologies
64-9145
Infineon Technologies
IRF6611
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IRF6611TR1
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IRF6611TR1PBF
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IRF6611TRPBF
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IRF6612TR1
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IRF6612TR1PBF
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IRF6612TRPBF
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IRF6616
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
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M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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5CGXFC9C6F23I7N
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