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Infineon Technologies IPS10N03LA G

Numéro de pièce MFG
IPS10N03LA G
quantité disponible
31530 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPS10N03LA G.pdf
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IPS10N03LA G Caractéristiques

Référence fabricant IPS10N03LA G
Numéro de pièce future FT-IPS10N03LA G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
IPS10N03LA G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1358pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PG-TO251-3
Paquet / caisse TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS10N03LA G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPS10N03LA G-FT

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