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Infineon Technologies IPT60R028G7XTMA1

Numéro de pièce MFG
IPT60R028G7XTMA1
quantité disponible
22970 Pièces
Prix de référence
USD 8.01028
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolMOS™ G7 MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPT60R028G7XTMA1.pdf
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IPT60R028G7XTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPT60R028G7XTMA1
Numéro de pièce future FT-IPT60R028G7XTMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™ G7
IPT60R028G7XTMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 28.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.44mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4820pF @ 400V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 391W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-HSOF-8-2
Paquet / caisse 8-PowerSFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT60R028G7XTMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPT60R028G7XTMA1-FT

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