maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI5485DU-T1-GE3
Référence fabricant | SI5485DU-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI5485DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI5485DU-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® ChipFet Single |
Paquet / caisse | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5485DU-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI5485DU-T1-GE3-FT |
PMF250XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMF63UNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB215ENEA/FX
Nexperia USA Inc.
PMPB30XPEX
Nexperia USA Inc.
PMPB55XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB85ENEA/FX
Nexperia USA Inc.
PMPB95ENEA/FX
Nexperia USA Inc.
PMT200EPEX
Nexperia USA Inc.
PMV130ENEA/DG/B2R
Nexperia USA Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel