maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMPB55XNEAX
Référence fabricant | PMPB55XNEAX |
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Numéro de pièce future | FT-PMPB55XNEAX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
PMPB55XNEAX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 255pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 550mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DFN2020MD (2x2) |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB55XNEAX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMPB55XNEAX-FT |
NP55N055SDG-E2-AY
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