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Référence fabricant | NP60N04NUK-S18-AY |
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Numéro de pièce future | FT-NP60N04NUK-S18-AY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NP60N04NUK-S18-AY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta), 105W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP60N04NUK-S18-AY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NP60N04NUK-S18-AY-FT |
JANTXV2N6788
Microsemi Corporation
JANTXV2N6788U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6790
Microsemi Corporation
JANTXV2N6790U
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JANTXV2N6796
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JANTXV2N6796U
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JANTXV2N6798
Microsemi Corporation
JANTXV2N6798U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6800
Microsemi Corporation
JANTXV2N6800U
Microsemi Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
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EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel