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JANTXV2N6800U Image

Microsemi Corporation JANTXV2N6800U

Numéro de pièce MFG
JANTXV2N6800U
quantité disponible
74280 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
Military, MIL-PRF-19500/557 MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
JANTXV2N6800U.pdf
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JANTXV2N6800U Caractéristiques

Référence fabricant JANTXV2N6800U
Numéro de pièce future FT-JANTXV2N6800U
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Military, MIL-PRF-19500/557
JANTXV2N6800U Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 400V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34.75nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 18-ULCC (9.14x7.49)
Paquet / caisse 18-CLCC
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
JANTXV2N6800U Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange JANTXV2N6800U-FT

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