maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / JAN2N6796
Référence fabricant | JAN2N6796 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN2N6796 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/557 |
JAN2N6796 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28.51nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 |
Paquet / caisse | TO-205AF Metal Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6796 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N6796-FT |
IXFV96N20P
IXYS
IXFX20N80Q
IXYS
IXFX30N50
IXYS
IXFX32N48Q
IXYS
IXFX52N30Q
IXYS
IXFX60N25Q
IXYS
IXFX80N15Q
IXYS
IXKC13N80C
IXYS
IXKG25N80C
IXYS
IXKT70N60C5-TRL
IXYS
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel