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IXYS IXKG25N80C

Numéro de pièce MFG
IXKG25N80C
quantité disponible
47550 Pièces
Prix de référence
USD 16.82336
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
CoolMOS™ MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXKG25N80C.pdf
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IXKG25N80C Caractéristiques

Référence fabricant IXKG25N80C
Numéro de pièce future FT-IXKG25N80C
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™
IXKG25N80C Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 166nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur ISO264™
Paquet / caisse ISO264™
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXKG25N80C Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXKG25N80C-FT

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