maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / JAN2N6800U
Référence fabricant | JAN2N6800U |
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Numéro de pièce future | FT-JAN2N6800U |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/557 |
JAN2N6800U Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 400V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34.75nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Paquet / caisse | 18-CLCC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6800U Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N6800U-FT |
IXFX60N25Q
IXYS
IXFX80N15Q
IXYS
IXKC13N80C
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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