maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMT200EPEX
Référence fabricant | PMT200EPEX |
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Numéro de pièce future | FT-PMT200EPEX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PMT200EPEX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 70V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 167 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 822pF @ 35V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-73 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMT200EPEX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMT200EPEX-FT |
NP60N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP60N04NUK-S18-AY
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NP60N055NUK-S18-AY
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NP80N055NDG-S18-AY
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NP82N04NUG-S18-AY
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NP82N04PUG(1)-E1B-AY
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XC7A100T-2FTG256I
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APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
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LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
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EP1AGX35DF780C6
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EP1S40F1020C5N
Intel