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Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA/FX

Name: PMPB215ENEA/FX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMPB215ENEA/FX
Price: 0.129584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (423 reviews)

Numéro de pièce MFG: PMPB215ENEA/FX

quantité disponible: 77520 Pièces

Prix de référence: USD 0.129584

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Nexperia USA Inc.

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PMPB215ENEA/FX.pdf

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PMPB215ENEA/FX Caractéristiques

Référence fabricant	PMPB215ENEA/FX
Numéro de pièce future	FT-PMPB215ENEA/FX
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
PMPB215ENEA/FX Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 40V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.6W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-DFN2020MD (2x2)
Paquet / caisse	6-UDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMPB215ENEA/FX Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PMPB215ENEA/FX-FT

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