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Nexperia USA Inc. PMV130ENEA/DG/B2R

Name: PMV130ENEA/DG/B2R
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMV130ENEA/DG/B2R
Availability: InStock
Rating: 4.8 (601 reviews)

Numéro de pièce MFG: PMV130ENEA/DG/B2R

quantité disponible: 83340 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Nexperia USA Inc.

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PMV130ENEA/DG/B2R.pdf

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PMV130ENEA/DG/B2R Caractéristiques

Référence fabricant	PMV130ENEA/DG/B2R
Numéro de pièce future	FT-PMV130ENEA/DG/B2R
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
PMV130ENEA/DG/B2R Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 20V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-236AB
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMV130ENEA/DG/B2R Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PMV130ENEA/DG/B2R-FT

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