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Référence fabricant | SI4900DY-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI4900DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4900DY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 15V |
Puissance - Max | 3.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4900DY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4900DY-T1-E3-FT |
DMN2016UTS-13
Diodes Incorporated
DMN2040LTS-13
Diodes Incorporated
DMG8822UTS-13
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DMN2019UTS-13
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AO8801A
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AO8808A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO8810
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO8814
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO8820
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO8822
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
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XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG144
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A3P600-2FG256
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759I
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