maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AO8810
Référence fabricant | AO8810 |
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Numéro de pièce future | FT-AO8810 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO8810 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1295pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO8810 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO8810-FT |
FDY3000NZ
ON Semiconductor
FDY1002PZ
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FDY4000CZ
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SM6K2T110
Rohm Semiconductor
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BSL205NH6327XTSA1
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BSL205NL6327HTSA1
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LAXP2-17E-5QN208E
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EP3SL340H1152I3N
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XC5VFX30T-1FF665CES
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XC7VX330T-2FFG1157I
Xilinx Inc.