maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDY4001CZ
Référence fabricant | FDY4001CZ |
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Numéro de pièce future | FT-FDY4001CZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDY4001CZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA, 150mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
Puissance - Max | 446mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563F |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDY4001CZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDY4001CZ-FT |
IRF5850
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IRF5850TR
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XC6SLX25-N3FTG256I
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Microsemi Corporation
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Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel