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Infineon Technologies IRF5852TR

Numéro de pièce MFG
IRF5852TR
quantité disponible
33190 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRF5852TR.pdf
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IRF5852TR Caractéristiques

Référence fabricant IRF5852TR
Numéro de pièce future FT-IRF5852TR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF5852TR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Puissance - Max 960mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5852TR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF5852TR-FT

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