maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / IRF5810TRPBF
Référence fabricant | IRF5810TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF5810TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF5810TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 16V |
Puissance - Max | 960mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF5810TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF5810TRPBF-FT |
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