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Infineon Technologies IRF5810

Numéro de pièce MFG
IRF5810
quantité disponible
73720 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRF5810.pdf
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IRF5810 Caractéristiques

Référence fabricant IRF5810
Numéro de pièce future FT-IRF5810
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF5810 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V
Puissance - Max 960mW
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5810 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF5810-FT

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