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Infineon Technologies IRF5810TR

Name: IRF5810TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5810TR
Availability: InStock
Rating: 4.9 (25 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF5810TR

quantité disponible: 44380 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF5810TR.pdf

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IRF5810TR Caractéristiques

Référence fabricant	IRF5810TR
Numéro de pièce future	FT-IRF5810TR
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF5810TR Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 16V
Puissance - Max	960mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur	6-TSOP
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5810TR Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF5810TR-FT

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