maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDY3000NZ
Référence fabricant | FDY3000NZ |
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Numéro de pièce future | FT-FDY3000NZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDY3000NZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 600mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
Puissance - Max | 446mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563F |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDY3000NZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDY3000NZ-FT |
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
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IRF5851TR
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A40MX04-VQG80
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XC3S700A-4FT256C
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M2GL090-1FGG676
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