maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / DMN2019UTS-13
Référence fabricant | DMN2019UTS-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN2019UTS-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN2019UTS-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
Puissance - Max | 780mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2019UTS-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN2019UTS-13-FT |
SIL2623-TP
Micro Commercial Co
SSM6N43FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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