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Diodes Incorporated DMN2016UTS-13

Name: DMN2016UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2016UTS-13
Price: 0.19812 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (315 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN2016UTS-13

quantité disponible: 91610 Pièces

Prix de référence: USD 0.19812

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN2016UTS-13.pdf

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DMN2016UTS-13 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN2016UTS-13
Numéro de pièce future	FT-DMN2016UTS-13
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN2016UTS-13 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8.58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1495pF @ 10V
Puissance - Max	880mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-TSSOP
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2016UTS-13 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN2016UTS-13-FT

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