maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AO8808A
Référence fabricant | AO8808A |
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Numéro de pièce future | FT-AO8808A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO8808A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.9nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1810pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO8808A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO8808A-FT |
FDY2000PZ
ON Semiconductor
FDY3000NZ
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FDY1002PZ
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FDY4000CZ
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SM6K2T110
Rohm Semiconductor
BSL308CH6327XTSA1
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BSL205NH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC7A50T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
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10AX022E4F27I3SG
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5SGXEABK3H40C4N
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A3P600-2FGG144
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10AX090H1F34E1SG
Intel
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