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Vishay Siliconix SI1967DH-T1-GE3

Numéro de pièce MFG
SI1967DH-T1-GE3
quantité disponible
13540 Pièces
Prix de référence
USD 0.12996
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SI1967DH-T1-GE3.pdf
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SI1967DH-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SI1967DH-T1-GE3
Numéro de pièce future FT-SI1967DH-T1-GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SI1967DH-T1-GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 490 mOhm @ 910mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
Puissance - Max 1.25W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur SC-70-6 (SOT-363)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI1967DH-T1-GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SI1967DH-T1-GE3-FT

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