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Référence fabricant | RD 2AV1 |
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Numéro de pièce future | FT-RD 2AV1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RD 2AV1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.55V @ 1.2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RD 2AV1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RD 2AV1-FT |
R9G02612XX
Powerex Inc.
R9G02812XX
Powerex Inc.
R9G03012XX
Powerex Inc.
R9G03212XX
Powerex Inc.
R9G03412XX
Powerex Inc.
R9G03612XX
Powerex Inc.
R9G03812XX
Powerex Inc.
R9G04012XX
Powerex Inc.
R9G04212XX
Powerex Inc.
R9G04412XX
Powerex Inc.
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel