maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R9G03612XX
Référence fabricant | R9G03612XX |
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Numéro de pièce future | FT-R9G03612XX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R9G03612XX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 3600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.45V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150mA @ 3600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AA, A-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AA, R62 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G03612XX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R9G03612XX-FT |
R4240F
Microsemi Corporation
R4240TS
Microsemi Corporation
R4250F
Microsemi Corporation
R4250TS
Microsemi Corporation
R4260F
Microsemi Corporation
R4260TS
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R4280F
Microsemi Corporation
R4280TS
Microsemi Corporation
R43120
Microsemi Corporation
R43120TS
Microsemi Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel