maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R9G04412XX
Référence fabricant | R9G04412XX |
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Numéro de pièce future | FT-R9G04412XX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R9G04412XX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 4400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.45V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150mA @ 4400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G04412XX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R9G04412XX-FT |
R4260F
Microsemi Corporation
R4260TS
Microsemi Corporation
R4280F
Microsemi Corporation
R4280TS
Microsemi Corporation
R43120
Microsemi Corporation
R43120TS
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R5020PF
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R5040PF
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R5060PF
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R5080PF
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EPF10K50STC144-1
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XC7A75T-1FTG256I
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A54SX16A-1PQ208M
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MPF100TS-1FCVG484I
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A3PN060-Z2VQG100
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AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
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