maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R9G04212XX
Référence fabricant | R9G04212XX |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-R9G04212XX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R9G04212XX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 4200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.45V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150mA @ 4200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G04212XX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R9G04212XX-FT |
R4250TS
Microsemi Corporation
R4260F
Microsemi Corporation
R4260TS
Microsemi Corporation
R4280F
Microsemi Corporation
R4280TS
Microsemi Corporation
R43120
Microsemi Corporation
R43120TS
Microsemi Corporation
R5020PF
Microsemi Corporation
R5040PF
Microsemi Corporation
R5060PF
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel