maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R9G02812XX
Référence fabricant | R9G02812XX |
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Numéro de pièce future | FT-R9G02812XX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R9G02812XX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.45V @ 1500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150mA @ 2800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G02812XX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R9G02812XX-FT |
R4220F
Microsemi Corporation
R4220TS
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R4230F
Microsemi Corporation
R4230TS
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R4240F
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R4240TS
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R4250F
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R4250TS
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R4260F
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R4260TS
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel