maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RCD100N20TL
Référence fabricant | RCD100N20TL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RCD100N20TL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RCD100N20TL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | CPT3 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCD100N20TL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RCD100N20TL-FT |
RW1A020ZPT2R
Rohm Semiconductor
RW1A025APT2CR
Rohm Semiconductor
RW1C015UNT2R
Rohm Semiconductor
RW1C020UNT2R
Rohm Semiconductor
RW1C025ZPT2CR
Rohm Semiconductor
RW1C026ZPT2CR
Rohm Semiconductor
RW1E014SNT2R
Rohm Semiconductor
RW1E015RPT2R
Rohm Semiconductor
RZY200P01TL
Rohm Semiconductor
RE1C002UNTCL
Rohm Semiconductor
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel