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Référence fabricant | RW1C015UNT2R |
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Numéro de pièce future | FT-RW1C015UNT2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RW1C015UNT2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 400mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-WEMT |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1C015UNT2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RW1C015UNT2R-FT |
RD3U060CNTL1
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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