maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RZY200P01TL
Référence fabricant | RZY200P01TL |
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Numéro de pièce future | FT-RZY200P01TL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RZY200P01TL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TCPT3 |
Paquet / caisse | 3-SMD, Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RZY200P01TL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RZY200P01TL-FT |
RYC002N05T316
Rohm Semiconductor
RUC002N05T116
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M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
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5CGXFC9C6F23I7N
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EPF8820AQC208-4AA
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