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Référence fabricant | RW1C020UNT2R |
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Numéro de pièce future | FT-RW1C020UNT2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RW1C020UNT2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 400mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-WEMT |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1C020UNT2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RW1C020UNT2R-FT |
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