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Rohm Semiconductor RW1A020ZPT2R

Name: RW1A020ZPT2R
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RW1A020ZPT2R
Price: 0.14384 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (549 reviews)

Numéro de pièce MFG: RW1A020ZPT2R

quantité disponible: 17000 Pièces

Prix de référence: USD 0.14384

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RW1A020ZPT2R.pdf

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RW1A020ZPT2R Caractéristiques

Référence fabricant	RW1A020ZPT2R
Numéro de pièce future	FT-RW1A020ZPT2R
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RW1A020ZPT2R Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	770pF @ 6V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-WEMT
Paquet / caisse	SOT-563, SOT-666
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1A020ZPT2R Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RW1A020ZPT2R-FT

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