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RCD075N19TL Image

Rohm Semiconductor RCD075N19TL

Numéro de pièce MFG
RCD075N19TL
quantité disponible
21880 Pièces
Prix de référence
USD 0.3136
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RCD075N19TL.pdf
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RCD075N19TL Caractéristiques

Référence fabricant RCD075N19TL
Numéro de pièce future FT-RCD075N19TL
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RCD075N19TL Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 190V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur CPT3
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RCD075N19TL Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RCD075N19TL-FT

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